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- E-mail：2357167632@qq.com
产品分类
集成电路(IC)(3)半导体存储器(1)可控硅IGBT(1)电感器(1)变压器(1)光电子/光纤/激光(1)LED(1)
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询价产品信息
类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商：Infineon Technologies
系列：HEXFET
包装 ：带卷（TR）
FET 类型：N
沟道技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）：75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：26A（Ta），375A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：300nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：12222pF @ 25VFET
功能-功率耗散（值）：3.3W（Ta），125W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：2.3 毫欧 @ 96A，10V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型;表面贴装
供应商器件封装:DIRECTFET L8
封装/外壳:DirectFET™ 等距 L8